FDMC86570LET60

Hersteller-Teilenummer:	FDMC86570LET60
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Teil der Beschreibung:	MOSFET N-CH 60V 56A POWER33
Datenblätte:	FDMC86570LET60.pdf
RoHs Status:	Lead free / RoHS Compliant
Zustand des Lagers:	2740 pcs Stock
ECAD -Modell:
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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ArtikelnummerFDMC86570LET60
HerstellerAMI Semiconductor / ON Semiconductor
BeschreibungMOSFET N-CH 60V 56A POWER33
KategorieDiskrete Halbleiterprodukte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel
Teilstatus2740 pcs Stock
VGS (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Vgs (Max)±20V
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-GehäusePower33
SeriePowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.3 mOhm @ 18A, 10V
Verlustleistung (max)2.8W (Ta), 65W (Tc)
VerpackungCut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse8-PowerWDFN
Andere NamenFDMC86570LET60CT
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit25 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds4790pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs88nC @ 10V
Typ FETN-Channel
FET-Merkmal-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)60V
detaillierte BeschreibungN-Channel 60V 18A (Ta), 87A (Tc) 2.8W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount Power33
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C18A (Ta), 87A (Tc)
FDMC86570LET60 Einzelheiten PDF [English]FDMC86570LET60 PDF - EN.pdf

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